SK Hynix откладывает выпуск HBM4 из-за дефицита чипов памяти NAND

Введение

SK Hynix заявила о переносе расширения производства чипов сверхбыстрой памяти HBM4 и одновременно раскрывает детали новой 300-слойной NAND V10. Оба направления остаются стратегически важными, но компания корректирует сроки, ориентируясь на рыночный спрос и реальное состояние производственных цепочек.

Задержка HBM4 и почему изменили график

Изначально SK Hynix планировала наращивать выпуск HBM4 во втором квартале 2026 года, однако сроки были перенесены на третий квартал. Основная причина связана с тем, что существующие мощности оказались полностью загружены выпуском чипов HBM3E, которая сейчас востребована значительно сильнее, чем масштабирование HBM4. Производственные линии HBM3E остаются в работе дольше, чтобы удовлетворить запросы клиентов, среди которых ключевым закупщиком остается NVIDIA. По данным отрасли, компания столкнулась с трудностями в массовом запуске архитектуры Rubin и замедлила переход на HBM4, в то время как спрос на архитектуру Blackwell с HBM3E не ослабевает, а продолжает расти. Это неизбежно сдвигает сроки запуска HBM4 и вынуждает SK Hynix придерживаться более плавного темпа перехода.

Развитие 300-слойной 3D NAND V10 и переход к гибридному соединению пластин

Параллельно с корректировкой планов по выпуску чипов HBM, а также частичному перераспределению производства на чипы DRAM, компания SK Hynix активно продвигается в области создания флэш-памяти NAND десятого поколения. Новая память V10 будет первой в линейке SK Hynix, выполненной с применением гибридного соединения “пластина к пластине”. В отличие от используемой сейчас 321-слойной V9 с архитектурой PUC, новая технология предполагает раздельное производство ячеек памяти и периферии на отдельных подложках с последующим их физическим соединением. Такой подход снижает тепловую нагрузку на периферийные схемы во время формирования высоких стопок, уменьшает технологические риски и может сократить производственный цикл. Однако технология значительно усложняет весь процесс, поскольку требует точности совмещения на уровне нанометров для множества кристаллов. В SK Hynix рассчитывают провести тестирование технологии V10 в 2026 году и перейти к полномасштабному производству в 2027 году.

Выводы

Несмотря на всю привлекательность новой технологии, она не решает проблему нехватки NAND и DRAM в краткосрочной перспективе. Перевод существующих мощностей на выпуск новых типов памяти временно снижает доступные объемы NAND, при этом расширение производства DRAM для стабилизации кризиса оперативной памяти остается ограниченным, так как основная часть усилий направлена именно на выпуск HBM и NAND. SK Hynix продолжает активно инвестировать в развитие V10, одновременно увеличивая выпуск V9, чтобы удовлетворить растущий спрос со стороны производителей корпоративных твердотельных накопителей. При этом компания уже начала установку дополнительных EUV-сканеров, которые могут вступить в работу в течение ближайших кварталов. По имеющимся данным, в течение двух лет SK Hynix планирует установить около двадцати EUV-установок нового поколения, ориентированных на выпуск HBM и продвинутых систем хранения.